개념 한 줄 요약
DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 데이터를 저장합니다.
왜 중요한가
고집적 메모리를 구현하는 핵심 구조이며 리프레시 특성을 이해해야 합니다. 다이오드 정류 작용과 MOSFET 스위칭 특성은 소자 이해의 기본으로 반복 언급됩니다.
핵심 개념 3가지
- 캐패시터에 전하를 저장해 비트를 표현한다
- 리프레시 주기로 데이터가 유지된다
- 셀 구조가 집적도와 신뢰성을 좌우한다
간단 예시 또는 비유
작은 물통에 물을 저장했다가 일정 시간마다 보충하는 것과 비슷합니다.
실무에서 연결되는 지점
- 다이오드는 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 정류 특성을 가집니다.
- MOSFET은 전력 변환에서 스위치로 사용되며 소비 전력이 낮다는 특징이 있습니다.
- BJT 대비 스위칭 속도가 높다는 점이 강조됩니다.
- PN 접합 구조 이해가 소자 동작의 출발점입니다.
확장 학습
- DRAM 셀 누설 전류 감소 방법
- 3D DRAM 구조 이해