Glossary
용어사전
공정, 소자, 장비에서 자주 만나는 핵심 용어를 간단한 정의와 함께 정리했습니다.
건식 식각
플라즈마를 이용해 식각하는 방식입니다.
자세히 보기 →게이트 길이
트랜지스터 채널 길이를 의미합니다.
자세히 보기 →게이트 산화막
게이트와 채널 사이에 위치한 절연막으로, MOSFET 동작을 좌우합니다.
자세히 보기 →공정 코너
공정/전압/온도 조건 변동을 의미합니다.
자세히 보기 →도핑
불순물을 첨가해 반도체 전기 특성을 바꾸는 과정입니다.
자세히 보기 →리소그래피
빛으로 패턴을 전사하는 공정입니다.
자세히 보기 →메트롤로지
공정 측정과 계측을 의미합니다.
자세히 보기 →문턱전압(Vth)
채널이 열리는 기준 전압입니다.
자세히 보기 →습식 식각
액체 화학 용액을 이용해 식각하는 방식입니다.
자세히 보기 →어닐링
열처리로 결정 손상을 복구하는 공정입니다.
자세히 보기 →와이어 본딩
미세 와이어로 칩과 리드프레임을 연결하는 공정입니다.
자세히 보기 →인터포저
칩렛과 메모리를 연결하는 중간 기판입니다.
자세히 보기 →칩렛
기능별 칩을 분리해 패키지 내에서 연결하는 방식입니다.
자세히 보기 →클린룸 등급
공기 중 입자 수로 정의되는 청정도 등급으로, 공정 품질을 좌우합니다.
자세히 보기 →포토레지스트
빛에 반응하는 감광성 소재로, 노광 후 패턴을 형성합니다.
자세히 보기 →포토마스크
회로 패턴이 새겨진 마스크로, 노광 공정에서 패턴을 전사합니다.
자세히 보기 →ALD
원자층 단위로 박막을 성장시키는 증착 방식입니다.
자세히 보기 →Back Grinding
웨이퍼 두께를 줄이는 공정입니다.
자세히 보기 →BEOL
금속 배선과 절연층 형성이 중심인 후공정 단계입니다.
자세히 보기 →BGA
볼 그리드 어레이 패키지 구조입니다.
자세히 보기 →CD-SEM
선폭 측정을 위한 주사전자현미경입니다.
자세히 보기 →CMP
화학적-기계적 연마로 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정입니다.
자세히 보기 →CVD
화학 기상 증착 방식으로 박막을 형성하는 공정입니다.
자세히 보기 →Defect Density
단위 면적당 결함 수를 의미합니다.
자세히 보기 →Dicing
웨이퍼를 개별 칩으로 절단하는 공정입니다.
자세히 보기 →Die Attach
다이를 기판에 부착하는 후공정 단계입니다.
자세히 보기 →DRAM
1T1C 구조로 데이터를 저장하는 고집적 메모리입니다.
자세히 보기 →DRC
Design Rule Check로 설계 규칙 위반을 검사합니다.
자세히 보기 →DRIE
고종횡비 구조를 만드는 심층 식각 공정입니다.
자세히 보기 →Electromigration
전류로 인해 금속이 이동하는 현상입니다.
자세히 보기 →EUV
13.5nm 파장을 사용하는 극자외선 노광 기술입니다.
자세히 보기 →FDC
설비 데이터를 이용해 공정 이상을 감지합니다.
자세히 보기 →FEOL
트랜지스터 형성이 중심이 되는 전공정 단계입니다.
자세히 보기 →FinFET
3차원 채널을 가진 트랜지스터 구조입니다.
자세히 보기 →Flip Chip
칩을 뒤집어 범프를 통해 기판에 연결하는 패키징 방식입니다.
자세히 보기 →GAA
Gate-All-Around 구조로 채널을 완전히 감싸는 소자입니다.
자세히 보기 →HBM
High Bandwidth Memory로 3D 적층 메모리입니다.
자세히 보기 →Interconnect
소자 간 전기적 연결을 의미합니다.
자세히 보기 →LER(Line Edge Roughness)
패턴 가장자리의 요철 정도를 의미하며 미세 공정에서 중요한 품질 지표입니다.
자세히 보기 →LVS
Layout vs Schematic 비교로 회로 일치를 검증합니다.
자세히 보기 →NA (Numerical Aperture)
노광 렌즈의 집광 능력을 나타내는 지표입니다.
자세히 보기 →OSAT
패키징과 테스트를 전문으로 수행하는 업체를 의미합니다.
자세히 보기 →Overlay
다층 패턴 간 정렬 오차를 의미합니다.
자세히 보기 →PDK
공정 설계 키트로 설계 규칙과 모델을 제공합니다.
자세히 보기 →PVD
물리적 스퍼터링으로 박막을 형성하는 증착 방식입니다.
자세히 보기 →PVT
공정(Process), 전압(Voltage), 온도(Temperature) 조건을 의미합니다.
자세히 보기 →RC 지연
배선 저항과 커패시턴스로 인한 신호 지연입니다.
자세히 보기 →RIE
플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각입니다.
자세히 보기 →Sawing
웨이퍼를 절단하는 톱 공정입니다.
자세히 보기 →SMT
표면실장기술로 패키지를 기판에 실장합니다.
자세히 보기 →SPC
통계적 공정 관리로 공정 변동을 관리합니다.
자세히 보기 →SRAM
6T 플립플롭 구조로 데이터를 저장하는 고속 메모리입니다.
자세히 보기 →STA
정적 타이밍 분석으로 회로 지연을 평가합니다.
자세히 보기 →STI
Shallow Trench Isolation, 소자 간 절연을 위한 구조입니다.
자세히 보기 →TSV
실리콘 관통 전극으로 3D 적층을 가능하게 합니다.
자세히 보기 →Yield
전체 생산 중 양품 비율을 의미합니다.
자세히 보기 →AI 답변
조건에 맞는 용어가 없습니다.